成果報告書詳細
管理番号100013452
タイトル平成19年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07A25006a 高緻密高絶縁性を有する酸化物薄膜のフィルム上塗布作製技術の開発 平成19年度中間
公開日2009/3/27
報告書年度2007 - 2007
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所植村聖
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約本年度はフレキシブル電子デバイスの保護膜として、高緻密性、高絶縁性の酸化物薄膜を低温塗布プロセスで形成するための作製技術の検討を行った。我々が開発した紫外光を用いた製膜作製技術を用いて、酸化ケイ素薄膜の作製における温度や光照射等の反応条件の詳細な検討を行い、高い絶縁性能を発現する最適条件を決定した。その結果として本プロセスで作製した酸化シリコン薄膜で1015Ωcmの絶縁性、6.8MV/cmの耐電圧を実現した。その成果として、製造方法に関する特許出願を1報行った。また、反応ガスの組成比を変化させることで緻密性、バリア性、透明性の高いとされる酸窒化シリコン薄膜の形成を実現し、それに関する学会報告を1報行った。さらに次年度以降に計画している保護膜への鱗構造の適応を目指し、平板上の合成クレイを酸化ケイ素膜中に膜面と並行に分散する技術の開発に成功した。その成果として特許出願1報を行った(2008年内に学会発表2報、国際会議での発表1報を予定している)。
英文要約In FY2007, we investigated the preparation of silicon oxide film having high density and high resistivity by wet-process at low temperature. Photo-oxidation technique using UV light was applied to the film preparation. By optimizing the preparation condition such as temperature and irradiation condition of UV light, the film show high resistivity and withstand voltage, i.e., 10e+15 ohm cm, 6.8MV/cm, respectively. And it was revealed that silicon oxynitride film can also be obtained by removing oxygen gas from the system. Further we succeeded in preparing nano-composite film consist of silicon oxide / clay mineral. It can be applied to passivation film over flexible device.
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