成果報告書詳細
管理番号100013461
タイトル平成19年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41002a 高品質半導体ダイヤモンドによる耐環境低損失パワーデバイスの開発 平成19年度中間
公開日2009/3/27
報告書年度2007 - 2007
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所梅澤仁
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約ダイヤモンドエピタキシャル成長における欠陥を評価し、エピタキシャル成長初期に発生する異常成長粒子が縦型デバイスにおいて致命欠陥となることを評価し、今後の合成技術開発により欠陥密度を10個/cm2程度まで低減する必要があることを示した。逆方向特性解析により、ダイヤモンドにおける逆方向リーク電流の要因がTFEトンネルによるキャリア輸送によるものと結論づけられ、他材料に対して高い絶縁破壊電界を有する素子を実現するためには、ショットキー障壁高さの上昇(>2eV)が必要であることを示した。p+層上のオーミック形成においては、2.6x10-6Ωcm2の低い特性オーミック接触抵抗が得られており、今後の高出力デバイス展開に重要な技術となる。
英文要約Defects in epitaxial diamond film are evaluated through the SBD characterization. The non-epitaxial crystals on the surface is determined as the “killer defect” for diamond vertical power devices and required to be decreased to 10/cm2 for 10 A class devices. Reverse characteristics analysis indicate that the increase of SBH (>2eV) is required to realize high breakdown field > 3MV/cm. Low specific contact resistance of 2.6x10-6Ωcm2 on p+ diamond is realized.
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