成果報告書詳細
管理番号100013463
タイトル平成19年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41005d 多元機能溶媒を用いた低温安定相SiC基板結晶の溶液成長 平成19年度中間
公開日2009/3/27
報告書年度2007 - 2007
委託先名国立大学法人名古屋大学宇治原徹
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約本年度は、以下の成果を得た。(1)3C-SiCが安定成長する温度領域で、かつ実効的な成長速度を得るための溶媒・面方位条件の探索を行った。3C-SiC安定成長に関しては、結晶面方位の影響が大きく、(001)種結晶を用いることで解決に至った。また、成長速度に関しては、単純にSi溶媒を用いるだけでも1700℃で最大50μm/hの値が得られた。さらに溶媒へのTi添加が、成長速度を約2倍に向上させることも実証した。また、Scも同様に成長速度増大に有効であることがわかった。(2)成長層内の高密度積層欠陥の形成抑制には、より低温での成長が必要であることを明らかにし、Scを溶媒に添加することで、成長温度を1300℃まで引き下げ、(001)種結晶上への高品質3C-SiC結晶の成長に成功した。(3)Sc添加による低温成長を、6H-SiC(0001)C面種結晶上で行ったところ、3C-SiCを安定に成長させることができた。これにより、従来数ミリサイズが最大であったものを、10×10mm2以上の面積にまで拡大することに成功した。このことは、さらに大面積の6H-SiC(0001)基板を用ることで、3C-SiCの大面積化も可能であることを意味する。
英文要約(1) We achieved the 3C-SiC stable growth on the (001) 3C-SiC seed crystal with the growth rate of 50 μm/h in maximum. Moreover, the growth rate by twice increased by using the addition of Ti to Si solvent. The addition of Sc was also effective on the increase of growth rate as well as that of Ti. (2) In order to avoid the formation of high-density stacking faults in the grown crystals, we performed the growth at the low temperature of 1300 °C using Si-Sc solvent. (3) Moreover, the low growth temperature realized the 3C-SiC grown on the 6H-SiC(0001) C-face substrate. As a result, the target of the next year (the growth of 10×10 mm2-size 3C-SiC crystal) has been already achieved.
ダウンロード成果報告書データベース(ユーザ登録必須)から、ダウンロードしてください。

▲トップに戻る