成果報告書詳細
管理番号100013627
タイトル平成17年度-平成19年度成果報告書 平成17年度第2回採択産業技術研究助成事業 05A12712a Si-ULSIにおける次々世代45-32nmノードに適用可能な高信頼Cu配線系におけるナノ界面形成技術の構築 平成19年度最終
公開日2009/4/24
報告書年度2005 - 2007
委託先名国立大学法人北見工業大学武山真弓
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約本年度は、界面層のない理想的なナノ界面を実現すること、ALD成膜により有用なバリヤ膜を形成すること、スループット等の実用化面を検討したが、ALD成膜によりインキュベーションタイムも短く、スループットのよい膜が成膜できることがわかった。さらに、新規成膜手法は、コスト的に優れており、装置化を検討するという新たなシーズとして展開している。
英文要約This project has achieved the development of barrier having an ideal interface without interfacial layers by ALD process. Particularly, a short incubation time achieved is good for throughput and good cost points of view. A new deposition method proposed in this study is further designing for realization of new instruments with good cost performance.
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