成果報告書詳細
管理番号100013633
タイトル平成17年度-平成19年度成果報告書 平成17年度第2回採択産業技術研究助成事業 05A15503d 非相反機能を集積した半導体高度光集積回路の開発 平成19年度最終
公開日2009/4/24
報告書年度2005 - 2007
委託先名国立大学法人東京農工大学清水大雅
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約平成17年度に実証したTEモード半導体導波路光アイソレータの信頼性を解決する手段を提供した。TEモード半導体光アイソレータでは、半導体光増幅器の量子井戸活性層を反応性イオンエッチングによって導波路状に加工した後、側壁に強磁性金属を蒸着することで光アイソレーション動作が得られる。商用化されている半導体レーザや半導体光増幅器では量子井戸活性層をエッチングした後、結晶成長によって別の半導体で埋め込むか、量子井戸活性層をエッチングしないリッジ導波路型の半導体レーザ構造を形成する。これは量子井戸活性層をエッチングしたままでは、露出した量子井戸活性層表面において非発光再結合が生じ、光増幅効率の劣化や素子寿命の低減につながってしまうためである。このため、量子井戸活性層をエッチングすることなく、TEモード半導体導波路型光アイソレータを実現するために、新しいTEモード半導体導波路型光アイソレータを提案した。これは量子井戸活性層の直上にInGaAsP導波層を設けるもので、伝搬光のモードの中心を量子井戸活性層ではなく、InGaAsP導波層に引き上げ、InGaAsP導波層の側壁に強磁性金属薄膜を形成するものである。これにより、量子井戸活性層をエッチングすることなく、32.0dB/mmの光アイソレーションを有するTEモード半導体導波路型光アイソレータを実現できることが明らかになった。
英文要約We have designed TE-mode semiconductor active optical isolators for high reliability. Introducing a guiding layer on the active layer and an Fe layer at one of its sidewalls gives an estimated optical isolation of 32.0 dB/mm without degrading the amplifying properties of the active layer.
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