成果報告書詳細
管理番号100013649
タイトル平成17年度-平成19年度成果報告書 平成17年度第2回採択産業技術研究助成事業 05A24502d 遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗変化効果の機構解明と不揮発メモリ素子の開発 平成19年度最終
公開日2009/4/24
報告書年度2005 - 2007
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所澤彰仁
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約・遷移金属酸化物中の酸素欠陥量の変化が抵抗変化の主要因であることを明らかにした。・通常の酸化物半導体と強相関電子系酸化物の動作機構に違いがあることを明らかにし、実験結果を基に動作モデルを提案した。・高抵抗状態と低抵抗状態で伝導特性が変化することを示し、通常の酸化物半導体の抵抗スイッチング効果の提案した動作モデルの有効性を確認した。
英文要約・We clarified that the electrochemical migration of oxygen vacancy plays an important role for the resistive switching. ・Based on the experimental findings, we proposed the possible models of the resistive switching. ・We confirmed the validity of the proposed model for semiconducting oxides through the analysis of the I-V characteristics in high and low resistance states.
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