成果報告書詳細
管理番号100013651
タイトル平成17年度-平成19年度成果報告書 平成17年度第2回採択産業技術研究助成事業 05A24505d 次世代スピンデバイス創生のためのハーフメタル強磁性トンネル接合の開発 平成19年度最終
公開日2009/4/24
報告書年度2005 - 2007
委託先名国立大学法人東北大学大兼幹彦
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約これまでの成果をもとに、高スピン分極率Co2MnSiを両電極に、MgOを絶縁層に用いたフル単結晶のCo2MnSi/MgO/Co2MnSiトンネル接合を作製して磁気抵抗効果を評価した。その結果、TMR比は約400%が得られた。このTMR比は、昨年度開発したCo2MnSi/MgO/CoFe接合のものに比べて小さい。原因として、MgO層上のCo2MnSiの結晶化、規則化に必要な熱処理温度が非常に高いということが分かった。しかし、Co2MnSiにFeをドープしたCo2FexMn1-xSiでは、低い温度で結晶化、規則化が起こることを見出し、上部電極をCo2FexMn1-xSiホイスラー合金とすることでTMR比1000%を達成する目処を得た。
英文要約Full-epitaxitially grown Co2MnSi/MgO/Co2MnSi-MTJ was fabricated and TMR ratio of 400% was observed. This TMR ratio is smaller than that of Co2MnSi/MgO/CoFe-MTJ, because top Co2MnSi on MgO layer was difficult to crystallize. However, TMR will reach to 1000% by using Co2(FeMn)Si alloy, because Co2(FeMn)Si can be crystallized by low temperature annealing.
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