成果報告書詳細
管理番号100013652
タイトル平成17年度-平成19年度成果報告書 平成17年度第2回採択産業技術研究助成事業 05A24704d 秩序化されたカーボンナノチューブの創製と次世代半導体デバイスへの展開 平成19年度最終
公開日2009/4/24
報告書年度2005 - 2007
委託先名国立大学法人九州大学吾郷浩樹
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約サファイア上で触媒をパターニングすることにより、高度な単層カーボンナノチューブの一方向配向成長を実現した。また、配向成長したナノチューブのキャラクタリゼーションを通じて、直径やカイラリティが結晶面に強く依存して変化することを見出した。サファイア上からナノチューブの配向性を保ったままシリコン基板に転写する方法も確立し、電界効果型トランジスタの作製・評価も行った。さらに、シリコン基板上で直接配向成長する方法の開発にも成功した。
英文要約We realized perfect unidirectional growth on sapphire r-plane. Characterization of the aligned nanotubes was carried out, and we found the important crystalline plane dependence of the diameter and chirality. The transfer method from sapphire to a Si wafer was established, and the field-effect transistors were demonstrated. Furthermore, we discovered a new method to align nanotubes directly on the Si wafer.
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