成果報告書詳細
管理番号100013662
タイトル平成17年度-平成19年度成果報告書 平成17年度第2回採択産業技術研究助成事業 05A33704d 数値制御ローカルウエットエッチングによる新しい高能率・高精度形状創成プロセスの開発 平成19年度最終
公開日2009/4/24
報告書年度2005 - 2007
委託先名国立大学法人大阪大学山村和也
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約(1)矩形ノズルを用いた1次元数値制御走査による粗加工と、小径ノズルを用いたラスター数値制御走査による最終仕上げとを組み合わせた2段階形状創成プロセスを考案した。本プロセスの適用により中性子集光用の合成石英製楕円筒基板を作製し形状精度400nmp-vを得た。また、基板上にNiC/Ti多層膜を成膜することによりピーク強度で6倍のゲインを得ることに成功した。(2)総加工時間65分で80nmp-v(λ/7)程度の合成石英製平面基板(80mm×40mm)の平坦度を9.6nmp-v(λ/60)まで高精度化することに成功した。(3)フッ硝酸を用いたシリコンの加工プロセスを開発し、φ200mmバルクシリコンウエハのTTVを410nmから230nmに、また、同じくφ200mm厚膜SOIの厚さ分布を480nmp-vから200nmp-vに改善することに成功した。(4)φ125mmの大型ノズルを試作し、ノズル径内において均一な加工量分布を得た。本結果により、1.5m角の大型石英ガラス基板の平坦度仕上げ加工を1枚/1日のペースで行うという設定目標を達成する見込みが得られた。
英文要約(1)Two-stage figuring process which constructed from the combination of one-dimensional numerically controlled coarse figuring and raster-scan-type final finishing was developed. (2)Plano-elliptical mirror with figure accuracy of 0.4μm to focus neutron beam was fabricated, and focusing gain of 6 was achieved. (3)TTV of the bulk silicon wafer and thick SOI with a diameter of 200mm were improved from 410nm to 230nm and from 480nm to 200nm, respectively. (4)The large size nozzle head with a diameter of 150mm was developed.
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