成果報告書詳細
管理番号100013663
タイトル平成17年度-平成19年度成果報告書 平成17年度第2回採択産業技術研究助成事業 05A33708d 触媒支援型化学加工法によるSiC基板の高精度・高能率平坦化 平成19年度最終
公開日2009/4/24
報告書年度2005 - 2007
委託先名国立大学法人大阪大学佐野泰久
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約触媒定盤最適化の検討を重ねた結果、2インチSiCウエハ全面をスクラッチフリーで平坦化することに成功した。また、本加工法によって研磨したSiC表面と市販のエピレディSiC基板を用いてエピタキシャル成長を試みたところ、本加工面にも問題無くエピタキシャル成長が確認された。両者にショットキーバリアダイオードを形成して電気特性を測定・比較したが、有意な差は無く、本加工面がエピタキシャル成長用基板として問題無く使用可能であることを実証した。
英文要約Epitaxial growths on both a processed SiC wafer and a commercial epi-ready SiC wafer were attempted. Surface morphologies and electrical characteristics of both epitaxial layers were almost the same. It is found that catalyst-referred etching is applicable to planarize SiC wafers for epitaxial growth which is essential for fabricating a SiC power device.
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