成果報告書詳細
管理番号100013691
タイトル平成17年度-平成19年度成果報告書 平成17年度第2回採択産業技術研究助成事業 05A51707c 低コスト高効率太陽電池のための高光安定水素化アモルファスシリコンの大面積・高速作製技術の開発 平成19年度最終
公開日2009/4/24
報告書年度2005 - 2007
委託先名国立大学法人九州大学古閑一憲
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約1.有磁場ホロー電極を改良するとともに,製膜速度とクラスタ取り込み量に対する水素希釈,ガス流速,ガス圧力の効果を明らかにして,光安定化後の欠陥密度3.8x1015cm-3のa-Si:H薄膜を製膜速度2.3nm/sで作製することに成功した。2.小面積pinシングルセル作製装置を製作するととともに,産総研と共同でpinセルを試作した。現状では,セル作製時に各層間で大気解放があり,界面不純物やごみの影響で試作セルの発電効率は2%程度と非常に低い。低い発電効率は,今回開発したI層の膜質以外に起因している。
英文要約1. We have developed a honey-comb type magnetic enhanced multi-hollow electrode. Using the electrode, We have realized deposition of a-Si;H films of 3.8x1015cm-3 in stabilized defect density at a rate of 2.3nm/s. 2. We have preliminary deposited pin solar cells.
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