成果報告書詳細
管理番号100013692
タイトル平成17年度-平成19年度成果報告書 平成17年度第2回採択産業技術研究助成事業 05A51710c 核形成制御キャスト成長法による超高純度・低歪みSiバルク結晶の新規成長技術の確立と高効率太陽電池の開発 平成19年度最終
公開日2009/4/24
報告書年度2005 - 2007
委託先名国立大学法人京都大学野瀬嘉太郎
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約今年度は、新規成長炉で粗大粒を成長でき、ほぼ理想的な結晶組織を持つ結晶を成長させるための条件を確立できた。また、ゲッタリング効果について詳細に調べ、結晶粒界密度が小さい方がゲッタリングが効果的に働くことを実証した。さらに、有限要素法により、結晶成長中に導入される残留ひずみについて検討を行い、インゴットを成長させる際、<100> 配向、もしくは <110> 配向させることが望ましいことが示唆された。
英文要約In this year, it is successful to grow crystals with large grains in the new growth furnace. We can establish the conditions to obtain the crystals with ideal microstructure. Additionally, we investigated gettering effect and demonstrated that the gettering effect is more effective to crystals by floating casting method. We evaluated the residual strain in the grown crystals introduced during crystal growth. It was suggested that the <100> or <110> orientation was desirable when crystals were grown.
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