成果報告書詳細
管理番号20090000000240
タイトル平成20年度成果報告書 平成17年度第1回採択産業技術研究助成事業 05A13002a プラズマジェットを用いたアモルファスSi膜結晶化技術の薄膜トランジスタ製造プロセス応用 平成20年度中間
公開日2009/8/27
報告書年度2008 - 2008
委託先名国立大学法人広島大学東清一郎
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約熱プラズマジェット(TPJ)を熱伝導率の高いSiウエハのミリ秒熱処理に適用する上で重要な高パワー密度化を達成する上で、電極間距離(ES)が顕著な効果を有することを突き止め、直径2 mmのノズルと組み合わせることによって32.2 kWcm-2と従来の約3倍の高パワー密度化に成功した。高パワー密度化したTPJを用いることでSiウエハ表面を600 K以上加熱することが可能となり、TPJが極浅接合形成に適用可能な加熱能力を有することを明らかにした。Asをイオン注入したSiウエハをTPJ照射ミリ秒熱処理することによって、接合深さ39 nm、シート抵抗260Ωの極浅接合の形成に成功した。以上により、高パワー密度TPJがULSIの極浅接合形成に適用可能なミリ秒熱処理技術であることを実証した。
英文要約In order to apply thermal plasma jet (TPJ) annealing to ultra shallow junction (USJ) formation in ULSI process, increase of electrodes spacing (ES) iseffective to achieve a high power density of 32.3 kWcm-2. By this TPJ, Si wafer surface can be heated more than 600 K. We have successfully formed As USJ with a junction depth of 39 nm and a low sheet resistance of 260 Ω/sq. TPJ is a powerful technique for USJ formation.
ダウンロード成果報告書データベース(ユーザ登録必須)から、ダウンロードしてください。

▲トップに戻る