成果報告書詳細
管理番号20090000000298
タイトル*平成20年度中間年報 新エネルギー技術研究開発 革新的太陽光発電技術研究開発(革新型太陽電池国際研究拠点整備事業)ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発(広帯域AlGaInN)
公開日2009/8/21
報告書年度2008 - 2008
委託先名名城大学
プロジェクト番号P07015
部署名新エネルギー技術開発部 太陽電池グループ
和文要約以下本編抜粋:[記載項目] 1. 研究開発の内容及び成果等 1) G a I n N 結晶成長技術について, 高効率太陽電池に必須の厚膜・高品質G a I n N の実現のため, 二つのアプローチを試みた。サファイア基板上およびS i C 基板上において,E L O 技術を駆使し、低転位G a I n N 厚膜の成長に成功した。また,格子整合基板であるZ n O 上に成長を行った。Z n O 基板上では世界最高品質の結晶を実現したが,オートドープの問題も明らかになった。 2) p 型G a I n N 導電性制御技術について,サファイアr 面基板上に成長したa 面G a Nの上にp 型G a I n N を成長させ,I n N モル分率が0 から0 . 3 にいたるまで,室温で1 0 1 9 c m - 3以上の高正孔濃度p 型G a I n N を実現させた。 3) G a I n N 少数キャリア拡散長評価について,ハイパワーナイトライドL D を励起光源とし、フォトンカウンティングによる時間分解蛍光寿命測定システムを構築して, G a I n N / G a N M Q W およびD H 構造の蛍光寿命測定を実施した。
英文要約Development of tandem-type solar cells based on AlGaInN having super wide-rage bandgap Results on FY2008 (1) Growth of high crystalline GaInN has been successfully conducted by two different methods, one is the use of ELO on sapphire and SiC substrate and the other is the use of lattice matching ZnO substrate. World’s highest quality GaInN can be grown on ZnO substrate, although auto doping is found to be serious. (2) Growth of highly conductive p-type GaInN with InN molar fraction less than 0.3 has been realized on a-plane GaN/r-plane sapphire substrate. Maximum hole concentration exceeds 1019cm-3 at room temperature. (3) High power nitride-based violet LD and photon counting method was used to develop radiative lifetime measurement system. Radiative lifetime of GaInN/GaN and DH at room temperature was successfully characterized.
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