成果報告書詳細
管理番号20090000000767
タイトル平成20年度成果報告書 平成18年度第1回採択産業技術研究助成事業 06A31013d 大気圧水素プラズマを用いた太陽電池用薄膜のエコクリーン製造法の開発 平成20年度中間
公開日2010/2/5
報告書年度2008 - 2008
委託先名国立大学法人大阪大学大参宏昌
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約金属級Siを固体原料に用いて,高純度な多結晶Si膜のダイレクト形成法の開発を行った.その結果,僅か1回の化学輸送により,形成されるSi膜中のFe,Ti,Mn等の典型的な不純物金属元素の濃度を10^3-10^5分の1まで低減できる事が分かった.本手法において,Siの化学輸送を担うガス種は,ほぼモノシランから成ることを同定した.この知見に基づき,リモート型APECT法による高純度Si膜の作製法を提案し,その要素技術となるB不純物の除去法を開発した.その結果,形成されるSi膜中のボロン濃度を,容易に初期濃度の1/100以下に低減できる事を明らかにした.さらに,APECT法により,一切の原料ガス,ドーピングガスを用いずに0.2S/cmの導電率を有するn型微結晶3C-SiC薄膜の形成に成功した.
英文要約Purified Si film is prepared directly from metallurgical-grade Si (MG-Si) by using atmospheric-pressure hydrogen plasma induced chemical transport. It is found that the prepared Si films clearly had fewer typical metal impurities (Fe, Ti, Mn, etc.) than the MG-Si. FTIR gas phase measurements confirmed that the main volatile hydrogenated species generated in the plasma is silane. Based on these results, we have newly proposed remote-type APECT method and developed boron impurity elimination method. As a result, it was demonstrated that the developed method could easily reduce the boron concentration in the prepared Si film to a hundredth of initial boron concentration. Furthermore, we have succeeded to prepare the n-type mc-3C-SiC film with its conductivity of 0.2S/cm by APECT method.
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