成果報告書詳細
管理番号20100000000041
タイトル平成20年度成果報告書 平成20年度第1回採択産業技術研究助成事業 08A17021c 革新的分子設計に基づいた電子輸送性および両性の有機電界効果トランジスタ材料の開発 平成20年度中間
公開日2010/2/5
報告書年度2008 - 2008
委託先名国立大学法人大阪大学家裕隆
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約フルオロアシル基で縮環させたチオフェン、カルボニル基で架橋させたビチアゾール等、新規な電子受容性部位、および、これら部位を導入した共役オリゴマーの開発に成功した。真空蒸着法でこれらオリゴマーの薄膜を作製し、真空下でトランジスタ特性評価を行った結果、最高で電子移動度0.06 cm2 V-1 s-1, on/off比105を達成し、さらに、大気下でも安定に駆動させることに成功した。また、塗布法で作製したオリゴマーの薄膜がn型特性を発現することを見出した。インジウム錫酸化物のソース・ドレイン電極とポリマー絶縁膜で構成されたトップゲート構造により、ポリアルキルフルオレンを初めとしたフルオレン共重合体で両性FET特性が発現し、真空中、および、窒素中にて正孔、電子移動度とも約10-3 cm2 V-1 s-1が得られることを見出した。
英文要約The syntheses of new electronegative conjugated units: fluoroacyl-bridged thiophene and carbonyl-bridged bithiophene and these-containing oligomers have been accomplished. The thin films of these oligomers fabricated by vacuum deposition exhibited n-type performances with electron mobility as high as 0.06 cm2 V-1 s-1 with the on/off current ratio of 105, and some of oligomers showed high electron mobility even under ambient condition. Furthermore, we have accomplished the development of a new class of solution-processable n-type OFET materials and demonstrated ambipolar characteristics of top-gate type OFETs
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