成果報告書詳細
管理番号20100000000057
タイトル平成20年度成果報告書 平成18年度第1回採択産業技術研究助成事業 06A12203d アモルファス酸化物薄膜トランジスタの欠陥構造解析と高性能化による実用化研究 平成20年度中間
公開日2010/2/13
報告書年度2008 - 2008
委託先名国立大学法人東京工業大学神谷利夫
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約1. a-IGZO TFTの長期安定性について、非熱処理膜と熱処理膜で異なる機構が存在すること、それらの電子構造起源を明らかにした。
2. a-IGZO TFTの光応答特性を明らかにした。
3. 200-400oCでの熱処理がa-IGZO TFTに与える影響を明らかにした。
4. RFマグネトロンスパッタリング法で、PLD法と同様の特性のTFTを作製する技術を確立した。
5. 高真空熱処理装置を用いることにより、20%程度の水蒸気添加による酸素中熱処理でa-IGZO TFTの特性、安定性が改善されることを明らかにした。
6. 第一原理計算により、c-IGZO、a-IGZOの酸素欠損、水素不純物の電子構造を明らかにした。
7. c-IGZO、a-IGZOの光学モデルを構築した。
英文要約1. Electronic origins of the instability of a-IGZO TFTs were clarified, which showed multiple mechanisms governs the instability and they have different effects for unannealed and anneald TFTs.
2. Photoresponse of a-IGZO were clarified.
3. Effects of low-temperature annealing were examined.
4. Fabrication condition of a-IGZO TFT by RF magnetron sputtering was established.
5. It was revealed that wet annealing improves characteristics, uniformity and stability of a-IGZO TFTs.
6. Electronic structures of oxygen deficiencies and hydrogen impurities were clarified by first-principles calculations.
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