成果報告書詳細
管理番号20100000000104
タイトル平成17年度-平成19年度成果報告書 平成17年度第2回採択産業技術研究助成事業 05A25703a 液晶性半導体薄膜のガラス化・光重合による安定化と薄膜トランジスターへの応用 平成19年度最終
公開日2010/2/18
報告書年度2005 - 2007
委託先名国立大学法人東京大学舟橋正浩
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約フェニルターチオフェン誘導体3-TTPPh-5を用いた薄膜トランジスターの性能向上を狙い、シェアーキャスト法による薄膜作成を検討したところ、トランジスターの特性が向上し、ホール移動度は0.08 cm2/Vs、on/off比は107に達した。液晶溶液をキャストする際にせん断を加えるため分子配向性が向上したものと考えられる。3-TTPPh-5を用いてPI基板上に変形に対しても特性がほとんど変化しないフレキシブルトランジスターの製作に成功した。シランカップリング剤処理やシェアキャスト法により、移動度が向上し、現在、0.05 cm2/Vsに達している。
英文要約FETs based on phenylterthiophene derivatives were fabricated by the solution shared deposition method. The hole mobility and on/off ratio of the FETs increased to 0.08 cm2/Vsand 107, respectively. Flexible FETs were also fabricated on polyimide films by the asme method. The mobility reached 0.05 cm2/Vs which was almost constant when the strain up to 3 % was applied to them.
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