成果報告書詳細
管理番号20100000000154
タイトル平成20年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07A14003a 次世代半導体デバイス特性劣化の物理モデルに基づくプロセスガイドラインと信頼性評価手法の開発 平成20年度中間
公開日2010/2/24
報告書年度2008 - 2008
委託先名国立大学法人大阪大学細井卓治
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約TiN/HfSiO/SiO2ゲートスタック中に含まれる炭素不純物が、ゲート電極の実効仕事関数低下および膜中電荷トラップ生成を促進することを見出した。これは炭素不純物の混入が低減できる真空一貫ゲートスタック作製プロセスの優位性を示すものである。また、La添加HfSiO膜における実効仕事関数変調がHfLaSiO/SiO2界面でのLa組成に依存したダイポール形成にあることを明らかにした。
英文要約We have demonstrated that carbon impurities in TiN/HfSiO gate stacks lead to a temperature instability of effective work function (EWF) and generation of charge traps sites, indicating an advantage of our proposed in situ gate stack fabrication method. In addition, a reduction in EWF of TiN/HfLaSiO stack was found to be due to an electric dipole at HfLaSiO/SiO2 interfaces.
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