成果報告書詳細
管理番号20100000000155
タイトル平成20年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07E51002a マルチフェロイクスセンサ素子のナノ構造設計と材料探索 平成20年度中間
公開日2010/2/24
報告書年度2008 - 2008
委託先名国立大学法人東京工業大学松本祐司
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約今年度は、デバイス開発の方では、全薄膜型のマルチフェロイクス磁場センサデバイスを世界で初めて試作し、磁場分布の画像化にも成功した。また、高速コンビナトリアル応力センサ特性評価装置の開発をほぼ完了し、イノベーションジャパンに出展した。材料開発では、BITナノプレートの成長機構の解明やCFOとのナノコンポジット膜の作製、希土類置換BFO薄膜の電気機械特性に増大など、特筆すべき成果の進展があった。
英文要約In Matsumoto G, besides their intensive study on the growth mechanism of BIT nano-plates for the size controllability, they found a self-phase separation of BIT-CFO in nano-composite films. In Lippmaa G, the high-throughput screening system for thin film-based sensor materials almost has been developed. They also have started to try a new magnetic field sensor device based on the tri-layer structure of VO2/Fe3O4/TiO2 In Valanoor G, they found a drastic enhancement of the electromechanical properties of RE-doped BFO thin films, the origin of which was rationalized in terms of the electric field-driven structural phase change at a critical phase boundary. In Takeuchi G, they have first fabricated all thin film ME magnetic field sensors on micromachined Si cantilevers and succeeded in trial application of such a device as a magnetic field imaging technique.
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