成果報告書詳細
管理番号20100000000162
タイトル平成20年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41004d 大電力密度電子デバイスの実現に向けたn型ダイヤモンド半導体の低抵抗化ならびにオーミック接合技術の開発 平成20年度中間
公開日2010/2/24
報告書年度2008 - 2008
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所加藤宙光
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約実用化に必要な(001)面では、(111)面に比べリンの取り込み効率が2桁以上も小さく、高濃度ドーピングに対し困難を強いられたが、新しいドーピング法を発案し、この難題をクリアした。即ち、(001)面基板表面を加工することで成長の起点を制御し、(001)面上で<111>方向へ優先成長させる選択成長技術法である。これにより、(111)面同様に、(001)面においても1E20 cm^-3を越える高濃度ドーピングを達成した。室温比抵抗値は200 Ohm-cm、室温の接触抵抗値を1E-2 Ohm-cm^2まで低減させた。この値は従来比の1/1000000以下であり、選択成長法が低抵抗化技術において極めて重要であることが明らかとなった。
英文要約The selective <111> direction growth technique on (001) diamond films was proposed, in which enables n+ diamond to be fabricated even on the (001) orientation. The maximum concentration of about 1E20 cm^-3 was observed by secondary ion mass spectroscopy. Clear conduction was found along the line and space structure of (001) n+ diamond, and its resistivity was determined to be as low as 200 Ohm-cm. In addition, the specific contact resistance was also reduced to be as low as 1E-2 Ohm-cm^2 even at room temperature.
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