成果報告書詳細
管理番号20100000000167
タイトル平成19年度-平成20年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07A25006a 高緻密高絶縁性を有する酸化物薄膜のフィルム上塗布作製技術の開発 平成20年度最終
公開日2010/2/19
報告書年度2007 - 2008
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所植村聖
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約保護膜のデバイスへの適応を目指し、デバイスにダメージを与えない積層構造及びそのプロセス条件の最適化を検討し、有機EL素子上に形成可能な条件を洗い出すことができた。また本助成事業にて導入した保護膜形成装置を用いて製膜条件の検討を行った。これにより水蒸気バリア性が評価可能なサイズの保護膜をPET基板上に製膜することが可能となったため水蒸気バリア性の評価を開始し、クレイ/酸化ケイ素ナノコポジットバリア膜における最適な混合比を決定した。
またそれらの検討から、過剰な紫外線照射による保護膜のダメージを最小限に抑える装置改良とガス流路の調節を行い、高緻密で高絶縁性の保護膜を形成することに成功した。それにより170℃の製膜温度で2×1016Ωcmと中間目標の1016Ωcm(150℃)にほぼ近い値を実現し、その他中間目標として掲げた絶縁耐圧9MV/cm(目標7MV/cm)、表面平滑性RMS=0.15nm(目標と同じ)はどちらの数値目標も達成するに至った。
英文要約In FY2008, solution-processed passivation film has developed to protect organic electric device such as organic light emitting diode against the damage induced by device fabrication processes. The passivation is composed of polymer layer and silicon oxide layer. The silicon oxide layer containing clay mineral was also prepared on PET substrate, and its moisture permeability is evaluated.
The resistivity of the silicon oxide film was improved by optimizing the preparation condition such as UV irradiation and gas flow. When the silicon oxide film was prepared at less than 170℃, the film have 2ex16 ohm cm, 9 MV/cm and RMS=0.15nm.
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