成果報告書詳細
管理番号20100000000161
タイトル平成20年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41002a 高品質半導体ダイヤモンドによる耐環境低損失パワーデバイスの開発 平成20年度中間
公開日2010/3/24
報告書年度2008 - 2008
委託先名独立行政法人産業技術総合研究所梅澤仁
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約放射光X線トポ評価により、エピ層内部の欠陥評価を行い、転位密度を同定した。表面処理を用いた高SBH素子により性能改善が可能となり、3.1MV/cmの高電界耐性が得られた。RuやPt等の電極金属を用いて高温長期信頼性を有するSBDが実現している。
英文要約Using XRT, defects in epi-layer has been quantified as 104/cm2. Diamond SBDs with high SBH shows low leakage current and realizes high Emax of 3.1 MV/cm. Good thermal reliability is obtained on Schottky electrode with Pt group metals.
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