成果報告書詳細
管理番号20100000000163
タイトル平成20年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07B41005d 多元機能溶媒を用いた低温安定相SiC基板結晶の溶液成長 平成20年度中間
公開日2010/3/24
報告書年度2008 - 2008
委託先名国立大学法人名古屋大学宇治原徹
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部 若手研究グラントグループ
和文要約(1) 昨年度に確立したSc系機能溶媒を用いた6H-SiC上への3C-SiC成長技術を利用して、18×18 mm2の面積を持つ3C-SiC結晶の成長に成功した。これは、対角線長さでは最終目標である1インチを超える値である。
(2) 成長条件による成長多形の変化を詳細に調査することで、溶媒、成長温度、面方位と成長多形の関係をより明確化した。
(3) 6H-SiC/3C-SiC界面に起因する欠陥をTEMにより評価したところ、本手法による3C-SiC結晶が高品質であることを確認した。
(4) 六方晶SiCではあるが、ドーピング濃度制御を実現した。
英文要約(1) The large-area 3C-SiC crystal was successfully grown on 6H-SiC substrate by the solution growth using the Sc system functional solvent. The size is 18 x 18 mm2 area of which the diagonal length is longer than 1 inch of the final target.
(2) The growth condition for 3C-SiC growth was investigated further.
(3) Using TEM observation, it was confirmed that the 3C-SiC grown on 6H-SiC has no structural defect due to the hetero-interface of 6H-SiC/3C-SiC.
(4) The doping control of the hexagonal structure was achieved.
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