成果報告書詳細
管理番号20100000001749
タイトル平成18年度-平成21年度成果報告書 平成18年度第1回採択産業技術研究助成事業 06A31013d 大気圧水素プラズマを用いた太陽電池用薄膜のエコクリーン製造法の開発 平成21年度最終
公開日2011/1/8
報告書年度2006 - 2009
委託先名国立大学法人大阪大学大参宏昌
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約昨年度開発したBフィルターを用いたリモート型大気圧プラズマ化学輸送法により,金属級Siを固体原料に用いて高純度なエピタキシャルSi膜の形成を行った.本手法による不純物除去率:η (=精製Si膜中濃度/金属Si原料中濃度)は,ηFe > 1/23000,ηAl > 1/110000,ηTi > 1/3800であり,対向配置型APECT法と同等以上の高い除去性能を達成した.また本手法では,対向配置型では除去困難であったB,P,Cなどの不純物の除去も可能となり,それぞれの不純物に対する除去率はηB > 1/600,ηP > 1/120,ηC > 1/500を達成した.さらに,APECT法により1.7 S/cmの導電率を有するn型微結晶3C-SiC薄膜を20 nm/min 以上の成膜速度で形成することに成功し,SiC/Siヘテロ接合太陽電池を作製した.リファレンスSi/Si接合太陽電池に比べVoc,Jscともに向上することを確認した.
英文要約By using a remote type Atmospheric-pressure Plasma Enhanced Chemical Transport (APECT) with boron elimination filter developed in last FY, the purified epitaxial Si film was formed from metallurgical-grade Si source. The achieved elimination efficiencies: η(= impurity concentration in Si film/ impurity concentration in MG-Si) for metal impurities were η(Fe) > 1/23000,η(Al) > 1/110000,and η(Ti) > 1/3800, respectively. These elimination efficiencies of remote type APECT are either equaling or surpassing those of parallel type APECT. Furthermore, this remote type method also makes it possible to eliminate B, P , and C impurities from purified Si material, and achieved elimination efficiencies are η(B) > 1/600, η(P) > 1/120, and η(C) > 1/500. On the other hand, the n-type μc-SiC film with its conductivity of 1.7 S/cm can be prepared at deposition rate more than 20nm/min. The n-SiC/p-Si hetero junction bulk solar cells were manufactured, and their properties were evaluated by comparison to the reference Si/Si cell. It was confirmed that the Voc and Jsc can be improved by substituting an n-type μc-SiC emitter layer for Si emitter layer.
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