成果報告書詳細
管理番号20100000001750
タイトル平成18年度-平成21年度成果報告書 平成18年度第1回採択産業技術研究助成事業 06A31201d ガスクラスターイオンビームによる半導体高精度薄化技術の開発 平成21年度最終
公開日2011/1/8
報告書年度2006 - 2009
委託先名兵庫県立大学豊田紀章
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約GCIB照射後の表面を大気に曝さずに分析し、照射後の表面が非常に反応しやすく、残留ガスと容易に反応することを示した。さらに、窒素GCIBを用いることにより、より低損傷での表面加工が可能なことを示した。GCIB照射後の表面粗さ0.15nm(目標値0.5nm)をイオン化電子電圧制御によって実現した。また、シリコン層厚さ210nm、厚さ分布23nmのウェハーを、GCIB照射によって厚さ分布を8.2nmに低減し、目標値の面内厚み分布0.1μm以下、厚さ1μm以下を実現した。
英文要約By using in-situ XPS analysis, it is found that the Si surface irradiated with GCIB became highly reactive, and reacts with residual gas very easily. Also, very low-damage processing of Si is possible by using N2-GCIB. Surface roughness of Si can be reduced to 0.15 nm by using low ionization electron voltage. Thickness variation of 8-inch wafer was improved from 23 nm to 8.2nm by using location specific irradiation of GCIB.
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