成果報告書詳細
管理番号20100000001776
タイトル平成18年度-平成21年度成果報告書 平成18年度第1回採択産業技術研究助成事業 06B44215a ナノトランスファー法による高容量キャパシタ内蔵型多層回路基板の開発 平成21年度最終
公開日2011/1/18
報告書年度2006 - 2009
委託先名国立大学法人東京大学一木正聡
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約ナノトランスファー法を用いた剥離・転写プロセス技術の基本性能の向上については、膜質の向上と剥離プロセスの定量評価に取り組んだ。また、応用展開の基盤技術としては、非鉛材料BaTiO3 を用いたプロセス技術の検討を行った。膜質の向上については、高速RTA を用いた成膜技術の最適化条件を検討し、従来よりも製造技術に要する時間の短縮を図った。剥離プロセスの定量評価については、従来のテープ剥離に加えてスクラッチ試験による剥離現象の解明を進めた。ここでは、下地電極の膜厚により剥離現象を3領域に分類できることと見出し、これらは概ねテープ剥離試験の結果とも一致している。さらに、BaTiO3等の非鉛材料をナノトランスファー法に用いた際のプロセス技術の確立を図った。とくに、内部応力の大きい場合の電極構造を新たに提案するとともに、それに適した積層構造を最適化した。
英文要約The detail conditions of the releasing process are obtained.Non-lead capacitor BaTiO3 is tried to prepare for the nano-transfer method. This result will be the base of the developing facility.
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