成果報告書詳細
管理番号20100000002362
タイトル平成21年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09C46122a “サイズ効果フリー特性“を有するc軸配向ビスマス層状誘電体を用いた高温対応高容量薄膜コンデンサの開発 平成21年度中間
公開日2011/1/25
報告書年度2009 - 2009
委託先名国立大学法人東京工業大学舟窪浩
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約初年度は以下の内容について検討を行った。
 1) 膜の配向性を向上させるための自己配向性バッファー層の開発
 2) 使用温度範囲の拡張の検討
 3) 高周波測定のための方法の確立を開始
 4) 界面の絶縁性向上のための添加物の検討を開始
その結果、主に1)と2)について溶液法でSi基板上で作製した膜について、以下の結果を得た。
a) LaNiO3/(111)Pt/TiO2/SiO2/Si基板上およびSrRuO3/LaNiO3/(111)Pt/TiO2/SiO2/Si基板上で(001)一軸配向した膜を得ることに成功し、LaNiO3は(001)一軸配向を得るのに良好なバッファーであることがわかった。
b) LaNiO3/(111)Pt/TiO2/SiO2/Si基板上では、エピタキシャル膜が得られるSrRuO3//SrTiO3基板上に匹敵する低い漏れ電流密度が特に低電界領域で得られた。
英文要約We carried out the following topics during this period.
1) Development of buffer layer for c-axis oriented BLSD films
2) Investigation of temperature stability of the capacitance
3) Development of measurement method for high frequency characteristics
4) Development of additive for high insulation characteristics
We obtained the following results
a) c-axis oriented BLSD films were obtained on [SrRuO3/]LaNiO3/(111)Pt/TiO2/SiO2/Si substrates. LaNiO3 was found to be an effective buffer layers for c-axis orientation of BLSD films
b) Low leakage current density was obtained on LaNiO3/(111)Pt/TiO2/SiO2/Si substrate comparable on SrRuO3//SrTiO3 substrate, especially under low electric field region.
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