成果報告書詳細
管理番号20100000002370
タイトル平成21年度成果報告書 平成21年度第1回採択産業技術研究助成事業 09A18010a 巨大トンネル磁気抵抗素子を用いた超高感度磁界センサーの開発 平成21年度中間
公開日2011/1/8
報告書年度2009 - 2009
委託先名国立大学法人東北大学 大兼 幹彦
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約高スピン分極率と低磁気異方性を兼備するCo2(FexMn1-x)Siホイスラー合金を用いたトンネル磁気抵抗素子において,一年目の達成目標としていた15%/Oeを超える磁界感度を実現した。最終目標である20%/Oeを得る見通しも得られている。CoFeB/Ru/NiFe三層構造を用いたトンネル磁気抵抗素子において,最大で5%/Oe程度の磁界感度を実現するとともに,素子形状を変えることで,検出可能な磁界範囲を制御できることを明らかにした。このことは,ナノテスラ程度の磁界検出センサー応用に重要である。トンネル磁気抵抗素子のアレイ化を行なった。微細加工プロセスの歩留まりは良く,最終目標としている10×10程度のアレイ化は問題なく達成可能である。評価系の構築も既に終えており,アレイ化によるS/N比の向上も初期データとして得られている。
英文要約I have succeeded to obtain a magnetic tunnel junction with sensitivity of 15%/Oe, which is a target of first year, using Co2(FexMn1-x)Si Heusler alloy with high spin polarization and low magnetic anisotropy. I have demonstrated sensitivity of 5%/Oe in the magnetic tunnel junctions with CoFeB/Ru/NiFe magnetic free layer. In addition, the detection field range could be controlled by changing shape of the device. This characteristic is very important to apply the magnetic tunnel junction to the magnetic field sensor. Arrays of magnetic tunnel junctions were fabricated. I will be able to fabricate 10×10 arrays in this project, because the yield rate of our micro-fabrication was good. Measurement system was already established and the experimental data that S/N ratio was improved in the arrays was obtained.
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