成果報告書詳細
管理番号20110000000465
タイトル平成21年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07A14003a 次世代半導体デバイス特性劣化の物理モデルに基づくプロセスガイドラインと信頼性評価手法の開発 平成21年度中間
公開日2011/5/27
報告書年度2009 - 2009
委託先名国立大学法人大阪大学細井卓治
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約TiN/HfSiONゲートスタックにおいて、HfSiON膜中やTiN/HfSiON界面に炭素やシリコンなどの強い還元力を有する元素が存在する場合、高温熱処理時のHfSiON膜中での酸素空孔形成が促進され、TiNの実効仕事関数低下が顕著に起きることを明らかにした。また、ゲートスタック成膜プロセス間の大気暴露による表面吸着炭素不純物の混入や、poly-Si/TiN/HfSiON/Siスタックにおけるpoly-SiからTiN層中へのSi拡散などを低減することが、高温熱処理後もTiN電極が高い実効仕事関数を維持するために必須であることを示した。
英文要約We have demonstrated that reductant elements in TiN/HfSiON gate stacks significantly degrade thermal stability of effective work function (EWF) due to an enhanced oxygen vacancy formation during high-temperature annealing. Suppression of carbon impurity incorporation and Si atom diffusion into TiN is essential for improving thermal stability of EWF.
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