成果報告書詳細
管理番号20110000000512
タイトル平成21年度成果報告書 平成19年度採択産業技術研究助成事業 07E51002a マルチフェロイクスセンサ素子のナノ構造設計と材料探索 平成21年度中間
公開日2011/5/17
報告書年度2009 - 2009
委託先名国立大学法人東京工業大学松本祐司
プロジェクト番号P00041
部署名研究開発推進部
和文要約今年度は、材料開発において、BITとCFOの同時蒸着によるコンポジット薄膜の面内圧電応答が増大する現象を発見した。また、希土類添加BFOの誘電特性のメカニズムを一般化することに成功した。デバイス開発では、全薄膜カンチレバー型磁場センサーでおよそ400pT@200Hzの感度を達成した。また、VO2とマグネタイトの多層膜構造を用いた応力変化による抵抗変化を磁歪効果と結びつけた新しい磁場センサーを試作し、その動作原理の検証に成功した。
英文要約In Matsumoto G, they not only confirmed the growth mechanism of BIT-nanoplates, but also found that the self-separated nano-phase composite of BIT-CFO exhibits a larger piezo response than a pure BIT. In Nagarajan G, the mechanism of dielectric properties for rare-earth doped BFO films was successfully generalized. In Lippmaa G, a new magnetic field sensor device based on the multi-layer structure of VO2/Fe3O4 has been developed. In Takeuchi G, they have achieved the magnetic sensitivity of all thin film ME magnetic field sensors on micromachined Si catilevers to be as high as 400pT@200Hz. For a higher sensitivity, they have just started a new process for a free-standing type device.
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