成果報告書詳細
管理番号20110000000798
タイトル*平成22年度中間年報 太陽エネルギー技術研究開発 太陽光発電システム次世代高性能技術の開発 極限シリコン結晶太陽電池の研究開発(太陽電池向け100μmウェーハの効率的加工技術の構築)
公開日2011/6/23
報告書年度2010 - 2010
委託先名コマツNTC株式会社
プロジェクト番号P07015
部署名新エネルギー部
和文要約和文要約等以下本編抜粋:1.研究開発の内容及び成果等
1-1研究開発の目標
【1】薄板ウェーハの高歩留まり生産技術の確立
(目標)マルチワイヤソーによるスライス加工において100μmウェーハが歩留まり95%以上で生産可能となる技術を確立する
【2】カーフロス量の最少化に向けた細線ワイヤが使用できる生産設備の確立
(目標)カーフロス100μmでの加工可能となる加工条件(プロセス)を確立する
以上の項目により,材料使用量を2010年現在(180μmウェーハ,カーフロス150μm)と比較して40%の削減となることを目標とする
英文要約Title: High Performance PV Generation System for the Future. R and D on Ultimate Wafer-based Si Solar Cells. Construction of efficient processing technology of 100μm wafer for Photovoltaic (FY2010-FY2014) FY2010 Annual Report
The purpose of our research and development is slice technology establishment of the amount of the material use of 40% that can be reduced. (Compared with 2010)
Concretely, it is an end goal to establish processing conditions that become possible for 100μm wafer to process the slice with 100μm karfloss. We started the test to face the purpose at current year. The result of obtaining is occupied. The 180μm wafer slice was executed with the diamond wire. As a result, it was proven that there was no problem in accuracy and the yield of finished goods. The processing with the wire of marketed outside diameter 130μm (diameter of wire 100μm) was executed. (With The ingot length is 40mm). As a result, it was able to be confirmed to become yield 95% or more, and to be able to reduce karfloss.
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