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戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)/次世代パワーエレクトロニクス

基本情報

技術分野 プロジェクトコード P14029
担当部署
  • IoT推進部 (TEL:044-520-5211)

事業・プロジェクト概要

事業期間:平成26年度~平成30年度、平成29年度予算:24.0億円

PL:大森達夫(内閣府政策統括官(科学技術・イノベーション担当)付 戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)次世代パワーエレクトロニクス担当 プログラムディレクター)

パワーエレクトロニクスは、今後の更なる省エネルギー化のためのキーテクノロジーであり、世界市場規模も2030年に、現在の数兆円から約20兆円と大きな成長が見込まれ、日本の産業競争力上でも重要な分野です。
 現在、Siを原料とするデバイスの一部、高性能な半導体モジュールの領域で日本企業は高いシェアを有しています。一方で、Siを物質特性上凌駕し、次世代材料とされるSiCは、半導体の性能の向上が期待され、実用化が進展し、この領域においては欧米企業が一部先行して市場を形成しつつあるなど競争はより激化しています。
 また、次世代材料として期待されるものには、GaNもあり、欧米では、SiCやGaNのより実用化を目指した、産学連携による緊密な開発体制が構築されています。さらに、中国、韓国、台湾でもSiC半導体の国家プロジェクトを立ち上げ、日本を猛追しています。
 本事業では、SiCやGaN等の次世代材料を中心に、次世代パワーエレクトロニクス技術のさらなる適用領域の拡大や普及促進を目指します。そのため、超高耐圧デバイス技術と次世代デバイスの特性・優位性を活かすためのモジュールや回路構成、制御や保護技術などの使いこなし技術と応用技術や周辺技術を含むシステム技術の強化に取り組みます。

  • 事業説明図
    事業説明図

詳細資料

最終更新日:平成29年9月5日