本文へジャンプ

省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業

事業・プロジェクト概要

事業期間:2021年度~2025年度、予算額:26.5億円(2023年度)

近年、産業のIoT化や電動化が進展し、半導体関連技術の重要性が高まるとともに、それら産業機器の省エネルギー化がより一層求められています。その鍵となるのが「省エネエレクトロニクス技術」です。電子機器に搭載されて電力の制御を担う「パワー半導体」や、あらゆる半導体の製造で不可欠な半導体製造装置などに代表される技術であり、従来から日本が強みを持っている分野ですが、近年は世界各国で取り組みが強化されています。

本事業では脱炭素社会の実現に向けて、「1.新世代パワー半導体の開発」および「2.半導体製造装置の高度化に向けた開発」に取り組み、省エネエレクトロニクス製品の製造基盤を強化するとともに、高度化したパワー半導体や半導体製造装置を主要な産業分野や半導体工場に適用することにより、電力変換損失を削減し、CO2排出量の削減に貢献します。

研究開発内容

(1)-1 酸化ガリウムパワー半導体の開発

必要な基盤技術を確立し、特定用途向けの新世代パワー半導体の開発及びモジュールの試作・評価を行い、新世代パワー半導体が実用化可能なレベルであることの実証を行う。

(1)-2 大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発

大口径のシリコンパワー半導体に、AI等の機能を持たせることによって、自動最適化や故障予知など、極めて高度な自己制御機能を持ったパワー半導体(インテリジェント・シリコンパワー半導体)の開発を行う。

(2)半導体製造装置の高度化に向けた技術開発

半導体製造装置市場の中でも、特に市場規模が大きく、かつ我が国企業の競争力の維持・強化において、重要なドライエッチング装置や露光装置、成膜装置(CVD装置等)の性能や生産性の向上に必要となる半導体製造装置の革新的技術を開発する。また、ポストムーア時代において必要となる次世代製造装置として後工程における貼り合わせ技術をはじめとする三次元積層関連装置等の革新的技術を開発する。

  • 新世代パワー半導体の説明画像
    新世代パワー半導体
  • 半導体製造装置の高度化の説明画像
    半導体製造装置の高度化

プロジェクトリーダー

角嶋 邦之(東京工業大学 工学院 准教授)

基本情報

技術・事業分野 ネットワーク/コンピューティング
プロジェクトコード P21009
担当部署 IoT推進部 (TEL:044-520-5211­)

詳細資料

最終更新日:2024年3月12日

関連ページ