TopoLogic株式会社
省電力トポロジカル反強磁性体メモリの開発

事業名

GX分野のディープテック・スタートアップに対する実用化研究開発・量産化実証支援事業

研究開発テーマ

省電力トポロジカル反強磁性体メモリの開発

事業概要

省電力磁気メモリ技術の開発を行う。同メモリ技術は、トポロジカル反強磁性体の特性を活用することで、情報書込に必要なスピン反転のエネルギーを1／1000に抑え、磁気メモリの省電力化を実現する。同技術によりデータセンターで汎用的に使用されるDRAM技術を置換し、電力削減を通じて温暖化ガスの排出削減を目指す。

事業内容

本研究では、100万ビットメモリアレイによるTL-RAMの基本動作を確認する。目標達成の為には、（I）MTJ素子ショート率を低減するプロセスの構築とその最適化、（II）高効率読み出し回路の設計と実装、（III）メモリセルの心臓部であるMTJの特性向上がすべて実現されなければならない。STSフェーズでは第一にMTJ作製プロセスに集中し、（I）MTJ素子ショート率を低減するプロセスの構築とその最適化を行い、MTJ素子ショート率50％以下を達成する。この開発の実行にあたり、ファウンドリで一貫製造することで開発が大幅に加速され、早期に最適化まで実現できる。第二に、（II）高効率読み出し回路の設計と実装を行う。これにより、読み出し歩留まり80％以上を達成する。第三に、低消費電力動作の要である書き込み電力について（III）メモリセルの心臓部であるMTJの特性向上を行う。本研究開発の成果を基にメイン顧客とのモデル検証に向けた実証実験を開始を目指す。

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