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次世代半導体微細加工・評価基盤技術の開発(EUV)

基本情報

技術分野 プロジェクトコード P10025
担当部署
  • 電子・材料・ナノテクノロジー部(TEL:044-520-5210)

事業・プロジェクト概要

事業期間:平成22年度~平成27年度、平成27年度予算:14億円
PL: 森 一朗(株式会社EUVL基盤開発センター 代表取締役)

私たちの生活を支える情報家電、コンピュータ、通信装置、自動車、医療機器などは、半導体集積回路(LSI) の微細化技術により支えられています。本技術により、機器の高性能化・低電力化・低コスト化が実現されます。この半導体LSI 微細化技術のコアであるリソグラフィ技術の次世代システムとして「EUVL※1(極端紫外線リソグラフィ)システム」が注目されています。しかしながら、EUVL技術では、マスクに多層の反射膜とその上の吸収膜を用いる従来方式とはまったく異なる方式を使うことや、hp※216nm以下のパターンを形成するための実用レベルの量産に耐えるレジストが存在しないなど、解決しなければならない課題が多数あります。

そこで本プロジェクトでは、EUVL システムのマスク欠陥検査技術、レジスト材料技術の基盤技術の開発を実施し、LSIの微細化技術(EUVL技術)の早期確立を目指しています。

  • ※1 EUVL:Extreme Ultraviolet Lithographyのこと。従来技術の193nmの波長光にかわり、13.5nmという極端紫外線を用いた露光技術。
  • ※2:LSIの配線層のピッチで最小のものの1/2をハーフピッチ(hp)という。

■EUV(極端紫外線)露光装置システムと主要課題

  • EUV(極端紫外線)露光装置システム

■マスクブランク多層膜欠陥(左)、マスクパターン欠陥(右)

  • マスクブランク多層膜欠陥(左)、マスクパターン欠陥(右)

■EUVレジスト材料・評価技術開発

  • EUVレジスト材料・評価技術開発

詳細資料

 

最終更新日:平成27年6月12日