第1回「低炭素社会を実現する超低電圧ナノエレクトロニクスプロジェクト／ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造ナノ電子デバイス技術開発」(事後評価)分科会
2013年3月15日
委員会概要
| 日時 | 平成24年9月21日（金） 12時30分～17時55分 |
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| 場所 | 大手町サンスカイルーム(朝日生命大手町ビル27階) A室 |
| 担当部室 | 評価部 |
| FAX | 044-520-5162 |
| 公開の可否 | 原則公開 |
| プロジェクトコード | P09002 |
資料
配布資料
| 資料名 | ファイルダウンロード |
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| 議事次第 |
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資料1-1 研究評価委員会分科会の設置について 資料1-2 NEDO技術委員・技術委員会等規程 |
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資料2-1 研究評価委員会分科会の公開について（案） 資料2-2 研究評価委員会関係の公開について 資料2-3 研究評価委員会分科会における秘密情報の守秘について 資料2-4 研究評価委員会分科会における非公開資料の取り扱いについて |
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資料3-1 NEDOにおける研究評価について 資料3-2 技術評価実施規程 資料3-3 評価項目・評価基準 資料3-4 評点法の実施について（案） 資料3-5 評価コメント及び評点票（案） |
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| 資料4 評価報告書の構成について（案） |
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| 資料5-1 事業原簿（公開） |
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| 資料5-2 事業原簿（非公開） | （非公開） |
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資料6 プロジェクトの概要説明資料(公開) |
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資料7 プロジェクトの詳細説明資料（非公開） 資料7.1.1 シリコンナノワイヤトランジスタの知識統合研究開発 資料7.1.2 ナノワイヤFETの研究開発 資料7.1.3 シリコンナノワイヤトランジスタの物性探究と集積化の研究開発 資料7.2.1 新構造FinFETによるSRAM技術の研究開発 資料7.2.2 次世代相変化メモリ技術の研究開発 資料7.2.3 ナノギャップ不揮発性メモリ技術の研究開発 資料7.3.1 カーボンナノチューブトランジスタ技術の研究開発 資料7.3.2 シリコンプラットフォーム上III-V族半導体 チャネルトランジスタ技術の研究開発 資料7.3.3 シリコンウェハ中の原子空孔濃度定量評価技術の研究開発 |
（非公開） |
| 資料8 今後の予定 |
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