第1回「次世代照明等の実現に向けた窒化物半導体等基盤技術開発／ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造技術開発」(事後評価)分科会
2013年8月30日
委員会概要
| 日時 | 平成25年6月24日（月） 10時00分～17時20分 |
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| 場所 | 東京国際フォーラム ガラス棟4F G409会議室 |
| 担当部室 | 評価部 |
| FAX | 044-520-5162 |
| 公開の可否 | 原則公開 |
| プロジェクトコード | P07030 |
資料
配布資料
| 資料名 | ファイルダウンロード |
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議事次第 |
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資料1-1 研究評価委員会分科会の設置について 資料1-2 NEDO技術委員・技術委員会等規程 |
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資料2-1 研究評価委員会分科会の公開について（案） 資料2-2 研究評価委員会関係の公開について 資料2-3 研究評価委員会分科会における秘密情報の守秘について 資料2-4 研究評価委員会分科会における非公開資料の取り扱いについて |
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資料3-1 NEDOにおける研究評価について 資料3-2 技術評価実施規程 資料3-3 評価項目・評価基準 資料3-4 評点法の実施について（案） 資料3-5 評価コメント及び評点票（案） |
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資料4 評価報告書の構成について（案） |
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資料5 事業原簿（公開） |
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事業原簿（非公開） 資料6-1-1 古河機械金属 |
（非公開） |
| 資料7 プロジェクトの概要説明資料（公開） |
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プロジェクトの詳細説明資料（非公開） 資料8-1 高品質大口径単結晶基板の開発 資料8-1-1 古河機械金属 資料8-1-2 豊田合成 資料8-1-3 日本ガイシ 資料8-2 大口径基板上の高品質エピタキシャル結晶成長技術 資料8-2-1 住友電工 資料8-2-2 昭和電工 資料8-3 窒化物半導体単結晶基板上電子デバイスの評価 資料8-3-1 サンケン電気 資料8-3-2 シャープ 資料8-3-3 豊田中研 |
（非公開） |
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資料9 今後の予定 |
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