決定「経済安全保障重要技術育成プログラム／高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発」に係る実施体制の決定について

2024年6月14日

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（以下「NEDO」という。）は、「経済安全保障重要技術育成プログラム／高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発」に係る公募を実施し、ご提案いただいた3件の提案について外部有識者による採択審査およびNEDO内の審査を経て、以下のとおり2件の実施予定先を決定いたしました。

募集事業について

1．件名

経済安全保障重要技術育成プログラム／高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発

2．事業概要

経済安全保障の確保・強化の観点から、我が国が支援対象とすべき重要技術の研究開発を進めることとしている「経済安全保障重要技術育成プログラム」の一環として、NEDOは「高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発」を行います。

本事業では、ガリウム系化合物半導体について、同種基板上にエピ膜を生成した大口径・高品質ウエハの製造技術に関する要素技術開発、およびデバイス・モジュールの開発を実施します。

• 研究開発項目（1）β-Ga₂O₃ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発
• 研究開発項目（2）GaN-on-GaNウエハ及び高周波デバイスの開発

3．実施予定先

• 研究開発項目（1）：株式会社ノベルクリスタルテクノロジー、三菱電機株式会社、一般財団法人ファインセラミックスセンター
• 研究開発項目（2）：三菱ケミカル株式会社、東芝インフラシステムズ株式会社

4．実施期間

• 期間：2024年5月～2029年3月（予定）

但し、中間評価を設定し、事業進捗を見て、継続を判断します。そのため、当初に契約する期間は直近の中間評価実施時期までとします。

詳細資料

• （別紙）事業概要（422KB）

募集要項

技術・事業分野	分野横断的公募事業
プロジェクトコード	P24006
事業名	経済安全保障重要技術育成プログラム／高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発
事業分類	研究（委託、共同研究、助成）
対象者	企業（団体等を含む）、大学等

問い合わせ先

IoT推進部
担当者：Kプロ ガリウム系半導体事務局
E-MAIL：kpro_ga_semicon@nedo.go.jp