本公募「経済安全保障重要技術育成プログラム／高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発」に係る公募について

2023年12月18日

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（以下「NEDO」という。）は、下記事業の実施者を一般に広く募集します。

募集事業について

1.事業内容

（1）概要

経済安全保障の確保・強化の観点から、我が国が支援対象とすべき重要技術の研究開発を進めることとしている「経済安全保障重要技術育成プログラム」の一環として、NEDOは「高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発」を実施します。

本事業では以下の研究開発に取り組みます。

研究開発項目（1）β-Ga₂O₃ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発

β-Ga₂O₃について、実用を見据えたサイズ・品質・コストでウエハを生産する技術を開発します。さらにそのウエハを用い、高電圧帯での使用を想定したパワーデバイス・モジュールの開発を行います。

研究開発項目（2）GaN-on-GaNウエハ及び高周波デバイスの開発

GaNの同一ウエハ（GaN-on-GaN）について、実用を見据えたサイズ・品質・コストで生産する技術を開発します。さらにそのウエハを用い、高電圧帯での使用を想定した高周波デバイスの開発を行います。

（2）事業期間

2024年度～2028年度

2.説明会

当該公募の内容、契約に係わる手続き、提出する書類等についての説明会をオンラインにて開催します。説明は日本語で行います。応募に当たってオンライン公募説明会への参加は必須ではありませんが、参加されることを推奨します。

説明会参加にあたっては、2023年12月21日（木）15時までに登録フォームからお申し込みください。

＜説明会の日時、会場＞

日時：

2023年12月25日（月）14時00分～15時00分

会場：

オンライン開催（URLは参加者登録メールアドレスへご連絡差し上げます）

＜参加申込方法＞

申込期限：

2023年12月21日（木）15時まで

申込先：

登録フォーム

3.応募方法等

本ホームページ最下の資料欄から必要な書類をダウンロードし、必ず受付期間内に次のWeb入力フォームから必要情報の入力と提案書類及び関連資料のアップロードを行ってください。その他の方法（持参･郵送･FAX･メール等）による応募は受け付けません。提出期限直前は混雑する可能性がありますので、余裕をもって提出してください。

受付期間：

2023年12月18日（月）～2024年2月5日（月）正午

Web入力フォーム

委託事業：契約約款はこちらをご参照ください。

4.その他

公募情報に関するお知らせはNEDO公式X（旧Twitter）にて随時配信しております。ぜひフォローいただき、ご活用ください。

NEDOでは、NEDO事業に関する業務改善アンケートを常に受け付けております。ご意見のある方は、以下リンクの「7.NEDO事業に関する業務改善アンケート」から、ご意見お寄せいただければ幸いです。なお、内容については、本プロジェクトに限りません。

NEDOの事業・支援制度をご利用の方

資料

• 経済安全保障重要技術育成プログラム研究開発ビジョン（第二次）
• 「高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発」に関する研究開発構想
• 経済安全保障重要技術育成プログラムの運用・評価指針
• 経済施策を一体的に講ずることによる安全保障の確保の推進に関する法律第62条第1項に規定する協議会に関する協議会モデル規約
• 2023年度実施方針（273KB）

• 公募要領（506KB）
• 提案書に関する資料（様式）（465KB）
• 別紙1：NEDO経済安全保障重要技術育成プログラムにおける知財マネジメント基本方針（218KB）
• 別紙2：NEDO経済安全保障重要技術育成プログラムにおけるデータマネジメント基本方針（154KB）
• 別紙3：契約に係る情報の公表について（90KB）
• 別紙4：経済安全保障重要技術育成プログラムに関する特別約款（317KB）
• 別紙5：経済安全保障重要技術育成プログラムに関する特別約款（大学・国立研究開発法人等用）（108KB）
• 公募説明会資料（1.8MB）

募集要項

技術・事業分野	分野横断的公募事業
プロジェクトコード	P24006
事業名	経済安全保障重要技術育成プログラム／高出力・高効率なパワーデバイス／高周波デバイス向け材料技術開発
事業分類	研究（委託、共同研究、助成）
対象者	企業（団体等を含む）、大学等
公募期間	2023年12月18日～2024年02月05日

問い合わせ先

IoT推進部
担当者：Kプロ ガリウム系半導体事務局
E-MAIL：kpro_ga_semicon@nedo.go.jp