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「次世代半導体材料・プロセス基盤(MIRAI)プロジェクト」(事後評価)分科会

2011年6月24日

委員会概要

 
日時 平成23年4月14日(木) 10時00分~17時00分
平成23年4月18日(月) 9時40分~17時20分
場所 全国町村議員会館(2階 第1~3会議室)
担当部室 評価部
FAX 044-520-5162
公開の可否 原則公開
プロジェクトコード P01014

資料

配布資料
 
資料1-1
資料1-2
資料2-1
資料2-2
資料2-3
資料2-4
資料3-1
資料3-2
資料3-3
資料3-4
資料3-5
資料4
資料5-1-1
資料5-1-2
資料5-1-3
資料5-1-4
資料5-1-5
資料5-1-6
資料5-1-7
資料5-1-8
資料5-1-9
資料5-2
  • 事業原簿(非公開)
資料6-1-1
資料6-1-2
資料6-1-3
資料6-2
  • 第I・II期成果の実用化・事業化の見通し(非公開)
資料7-1
  • プロジェクトの詳細(非公開)
    〔1〕新構造極限CMOSトランジスタ関連技術開発
資料7-2
  • プロジェクトの詳細(非公開)
    〔2〕新探究配線技術開発
資料7-3
  • プロジェクトの詳細(非公開)
    〔3〕特性ばらつきに対し耐性の高いデバイス・プロセス技術開発
資料7-4
  • プロジェクトの詳細(非公開)
    〔4〕次世代マスク基盤技術開発
資料7-5
  • プロジェクトの詳細(非公開)
    〔5〕EUV光源高信頼化技術開発
資料8

その他資料